今日，第十三届半导体设备与核心部件及材料展在无锡举行。作为CSEAC展会的重要组成部分，2025半导体制造与材料董事长论坛备受瞩目，该论坛由上海报业集团旗下、《科创板日报》以及CSEAC展会主办方共同联合主办。

　　在“2025半导体制造与半导体专用材料董事长论坛”上，

　　在致辞环节，

　　半导体产业在现代经济和科技发展中占据着举足轻重的地位，它支撑着整个信息社会的运行。

　　半导体材料是半导体产业的基石，是推动现代科技革命和产业升级的核心驱动力，更是国家科技自主可控的战略高地。

　　近期，我国半导体材料实现了快速发展。在半导体硅材料领域，尽管全球硅材料出货面积同比下滑，但在国内去年出货面积逆势增长22.5%，达35.64亿平方英寸，销售额稳定在123亿元。此外，宽禁带半导体等领域同样捷报频传。

　　2024年，国内砷化镓材料市场规模约3.5亿元，全球占比提升至15%；磷化铟材料虽规模实现全球3%的市场份额突破。在碳化硅衬底领域，国内出货量达128.8万片，同比增长44.1%，全球出货量占比超43%，产业规模效应初步显现。

　　值得关注的是，

　　聚焦半导体材料技术前沿进展，林健认为，我国已在第三代及超宽禁带半导体材料领域实现多点突破。

　　在氮化镓领域，苏州纳维团队在国内成功研制出6英寸氮化镓体单晶材料，其2英寸衬底的位错密度指标达到世界领先水平，为高性能氮化镓器件产业化奠定基础；氧化镓技术突破更具里程碑意义。

　　据悉，中国电科46所于2023年2月率先拉制出6英寸氧化镓单晶后，2025年3月浙大镓仁团队采用铸造法成功制备出全球首颗8英寸氧化镓单晶，大幅提升我国在超宽禁带材料领域的话语权。

　　此外，电科46所与奥趋光电分别实现4英寸、3英寸氮化铝单晶材料突破；西安交大王宏兴团队则完成2英寸异质结外延单晶金刚石材料的商业化生产，填补了我国在超宽禁带半导体材料商业化应用领域的部分空白。

　　这些技术成果的落地，标志着我国半导体材料正从“跟跑”向“并跑”甚至“领跑”转变。

　　展望半导体新材料未来发展，与会专家纷纷表示，全球半导体产业已进入“材料创新驱动发展”的新阶段。

　　据市场三方数据统计，预计2025年全球半导体市场规模将突破7000亿美元，同比增长13%以上；半导体材料市场规模达747亿美元，增速16.8%。其中，碳化硅材料市场规模将达20亿美元，同比增幅20%，成为增速最快的细分领域之一。

　　同时，在半导体材料产业加速发展的进程中，一系列深层次的挑战仍有待突破。

　　林健对此表示，在高端材料领域，我国与国际先进水平仍有差距，ArF/DUV/EUV光刻气、高端前驱体、先进湿电子化学品等关键材料依赖进口；资金投入不足与高端人才短缺问题突出，制约产业创新速度；国际贸易摩擦与技术封锁加剧，给供应链稳定带来不确定性。

　　在此背景下，国内企业需积极应对、寻求突破。

　　针对产业痛点，林健呼吁并提出五方面发展路径：一是加大研发投入，构建“材料—装备—工艺—软件”一体化攻关体系，深化产学研协同；二是完善人才培养与引进机制，建立“基础研究—工程化—量产运营”全链条人才梯队；三是强化产业链协同，推动晶圆厂与材料企业联合开展工艺验证，加速材料国产化替代；四是推进标准化与国际化，以标准制定提升行业话语权，助力企业拓展海外市场；五是构建多源供应链，降低关键材料单点依赖风险。

　　作为半导体材料产业发展中的桥梁和纽带，中国电子材料协会在产业协同中发挥着关键作用。

　　展望未来，随着全球半导体产业加速向“材料驱动”转型，我国半导体材料产业迎来战略机遇期。