三星计划明年生产第9代V-NAND闪存沿用双层堆栈架构 - 盈明琪信息科技

站内搜索：

比特币插针闪崩到93200美阿姆斯特丹比特币大会热议 Bitcoin Amsterdam上Pat R 比特币短线失守95000美元跌破10万美元比特币走熊美国Fed降息预期降温！比日本比特币储备企业Metapl 美国比特币现货ETF单日净 Jack Dorsey旗下Cash App

可以驾驶无人驾驶汽车的驾驶机器

WhatsApp正在测试iOS和Android之

您现在的位置：主页 > 要闻 > 要闻

三星计划明年生产第9代V-NAND闪存沿用双层堆栈架构

更新时间：2023-08-18 17:32:25

　　三星电子计划明年生产第9代V-NAND闪存，将沿用双层堆栈架构，超过300层。报道称，这将使三星的进度超过SK海力士，后者计划2025年上半年量产三层堆栈架构的321层NAND闪存。

上一篇：CINNO Research：今年1-6月中国线路板项目投资金额约1400亿人民下一篇：被批应变不力夏威夷毛伊岛紧急事务局局长辞职